イベントレポート
Micron、最大9,200MT/sのDRAMや276層の第9世代NANDを展示
2025年5月22日 10:42
台湾にて23日まで開催中のCOMPUTEX TAIPEI 2025にあわせ、Micronが同社の最新技術や製品などの展示を実施した。
デモエリアでは、1γプロセスノードを使ったMicron 1γ DRAMを展示。同社初となるEUV露光技術を活用して製造され、前世代の1βと比べ、20%の省電力化、30%以上のビット密度向上を実現。転送速度は最大9,200MT/sに達する。2025年後半には採用製品が登場する見込みとしており、データセンターやAI PC、モバイルなど、幅広い用途に価値を提供できるとする。
Micron G9 NANDは、第9世代技術を使った276層の高性能3D NANDフラッシュ。こちらもデータセンターからクライアント、エッジまで幅広い領域をカバー。OEM向けの採用製品として、PCIe 5.0対応のハイパフォーマンスPC向けのSSD「Micron 4600 NVMe SSD」と、PCIe 4.0対応で価格と性能のバランスをとった「Micron 2650」をあわせて展示していた。前者は512GB～4TB、後者は256GB～1TBをラインナップする。
あわせて、データセンターや産業向け、コンシューマ向けのCrucialブランドの製品などの展示も行なっていた。以下、写真でご紹介する。
Crucialブランド製品
データセンター向け製品
エッジデバイス向け製品
車載/産業向け製品
